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GermanyIRLI630G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRLI630G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 6.2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRLI630
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRLI630G
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRLI630G)
HTML Datasheet
1(IRLI630G)
Product Drawings
()
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRLI630GPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 993
Prezzo unitario. : $12.46000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 993
Prezzo unitario. : $12.46000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : RCX120N20
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $5.43994
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $5.43994
Tipo sostitutivo. : Similar