English
Spain
Rusia
China
GermanyFDS2170N7
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDS2170N7
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
139
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-FDS2170N7
FAIFSCFDS2170N7
2156-FDS2170N7-FSTR-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDS2170N7
Documenti e supporti
Datasheets
1(FDS2170N7)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 139
Prezzo unitario: $2.17
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 139
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 139
Sostituti
-