Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPD80R1K0CEBTMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD80R

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

INFINFIPD80R1K0CEBTMA1
2156-IPD80R1K0CEBTMA1
IPD80R1K0CEBTMA1TR
IPD80R1K0CEBTMA1CT
IPD80R1K0CEBTMA1DKR
SP001100606

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD80R1K0CEBTMA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPx80R1K0CE)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IPx80R1K0CE)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPD80R1K0CEATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 2,125
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : STD7N80K5
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 4,591
Prezzo unitario. : $2.32000
Tipo sostitutivo. : Similar