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Germany2SJ542-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SJ542-E
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 18A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 18A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
125
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
150°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Altri nomi
RENRNS2SJ542-E
2156-2SJ542-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation 2SJ542-E
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SJ542-E)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 125
Prezzo unitario: $2.4
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 125
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 125
Sostituti
-