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GermanyPMZB200UNE315
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PMZB200UNE315
DESCRIZIONE
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
5,668
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
0.95V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
89 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DFN1006B-3
Package / Case
SC-101, SOT-883
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2156-PMZB200UNE315
NEXNXPPMZB200UNE315
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PMZB200UNE315
Documenti e supporti
Datasheets
1(PMZB200UNE)
HTML Datasheet
1(PMZB200UNE)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-