Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQD17N08LTM
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
FQD17N08

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FQD17N08LTMDKR
FQD17N08LTMCT
FQD17N08LTMTR
FQD17N08LTM-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQD17N08LTM

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQD17N08L)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : FDC3512
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.94000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRLR3410TRPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 49,158
Prezzo unitario. : $1.06000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : RSD175N10TL
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar