Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFX180N25T
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
26 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
345 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
28000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1390W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Package / Case
TO-247-3 Variant
Base Product Number
IXFX180

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFX180N25T

Documenti e supporti

Datasheets
1(IXF(K,X)180N25T)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(GigaMOS™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXF(K,X)180N25T)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 500
Prezzo unitario: $13.25738
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $14.6288
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $16.915
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $19.2
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-