English
Spain
Rusia
China
GermanyNTD65N03RT4G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTD65N03RT4G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 25 V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta), 50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
NTD65
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-NTD65N03RT4G
2156-NTD65N03RT4G-ONTR-ND
ONSONSNTD65N03RT4G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD65N03RT4G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NTD65N03R)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 11/Jul/2008)
HTML Datasheet
1(NTD65N03R)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FDD8880
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 5,407
Prezzo unitario. : $0.89000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 5,407
Prezzo unitario. : $0.89000
Tipo sostitutivo. : Similar