Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSP372 E6327
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 1.7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±14V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP000011120
BSP372E6327T
BSP372 E6327-ND
BSP372E6327

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP372 E6327

Documenti e supporti

Datasheets
1(BSP372)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSP372)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

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