English
Spain
Rusia
China
GermanyFMM60-02TF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FMM60-02TF
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 200V 33A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
45 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Power - Max
125W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
i4-Pac™-5
Supplier Device Package
ISOPLUS i4-PAC™
Base Product Number
FMM60
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/IXYS FMM60-02TF
Documenti e supporti
Datasheets
1(FMM60-02TF)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(FMM60-02TF)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 25
Prezzo unitario: $17.0832
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 25
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 25
Sostituti
-