Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFK180N10
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
25

Specifiche tecniche

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
560W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264AA (IXFK)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFK180

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFK180N10

Documenti e supporti

Datasheets
1(IXF(K,X)180N10)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXF(K,X)180N10)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 25
Prezzo unitario: $13.9936
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 25

Sostituti

Parte n. : IXFK200N10P
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $15.82000
Tipo sostitutivo. : Similar