English
Spain
Rusia
China
GermanyBSM75GB170DN2HOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM75GB170DN2HOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MOD 1700V 110A 625W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Half Bridge 1700 V 110 A 625 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
110 A
Power - Max
625 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 75A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
11 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM75G
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFBSM75GB170DN2HOSA1
2156-BSM75GB170DN2HOSA1
SP000100464
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSM75GB170DN2)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(BSM75GB170DN2)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : APTGT300A170G
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $443.43333
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $443.43333
Tipo sostitutivo. : Similar