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GermanyNTMD6P02R2SG
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTMD6P02R2SG
DESCRIZIONE
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
NTMD6P02R2SG Models
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 16V
Power - Max
750mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
NTMD6
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2156-NTMD6P02R2SG-ONTR-ND
ONSONSNTMD6P02R2SG
2156-NTMD6P02R2SG
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/onsemi NTMD6P02R2SG
Documenti e supporti
Datasheets
1(NTMD6P02R2)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 01/Oct/2008)
PCN Design/Specification
1(Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008)
HTML Datasheet
1(NTMD6P02R2)
EDA Models
1(NTMD6P02R2SG Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FDS6875
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 260
Prezzo unitario. : $1.30000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 260
Prezzo unitario. : $1.30000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : NTMD6P02R2G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 3,342
Prezzo unitario. : $1.22000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 3,342
Prezzo unitario. : $1.22000
Tipo sostitutivo. : Similar