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GermanyFDU6N25
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDU6N25
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
70
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
UniFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base Product Number
FDU6
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-ND
ONSONSFDU6N25
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDU6N25
Documenti e supporti
Datasheets
1(FDU6N25 Datasheet)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN Packaging
()
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRFU224PBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar