Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTP3N110
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
IXYS
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IXTP3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTP3N110

Documenti e supporti

Datasheets
1(IXT(A,P)3N110/120)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
HTML Datasheet
1(IXT(A,P)3N110/120)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IXTP2R4N120P
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 14
Prezzo unitario. : $6.44000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRFBG30PBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 4,640
Prezzo unitario. : $2.46000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STP3NK90Z
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 366
Prezzo unitario. : $2.01000
Tipo sostitutivo. : Similar