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GermanyFZ1800R17KF4NOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FZ1800R17KF4NOSA1
DESCRIZIONE
FZ1800R17 - INSULATED GATE BIPOL
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Trench Field Stop 3 Independent 1200 V 3560 A 13500 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
3 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3560 A
Power - Max
13500 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 2.4kA
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
150 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Classificazioni ambientali e di esportazione
HTSUS
0000.00.0000
Altri nomi
INFINFFZ1800R17KF4NOSA1
2156-FZ1800R17KF4NOSA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FZ1800R17KF4NOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(FZ1800R17KF4NOSA1 Datasheet)
HTML Datasheet
1(FZ1800R17KF4NOSA1 Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $1879.9
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-