Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
GA100JT12-227
DESCRIZIONE
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
1200 V 160A (Tc) 535W (Tc) Chassis Mount SOT-227
PRODUTTORE
GeneSiC Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10

Specifiche tecniche

Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
-
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 100A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14400 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
535W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

1242-1317
GA100JT12-227-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

Documenti e supporti

Datasheets
1(GA100JT12-227)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-