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GermanyG3R60MT07J
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
G3R60MT07J
DESCRIZIONE
750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
750 V Surface Mount TO-263-7
PRODUTTORE
GeneSiC Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
26 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
G3R™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
-
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
750 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
+20V, -10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J
Documenti e supporti
Datasheets
1(G3R60MT07J)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $10.7
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-