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GermanyIXTM11N80
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTM11N80
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
GigaMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-204AA (IXTM)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Base Product Number
IXTM11
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTM11N80
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FCPF400N80Z
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 2,271
Prezzo unitario. : $3.81000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,271
Prezzo unitario. : $3.81000
Tipo sostitutivo. : Similar