Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TSM60NB900CH C5G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
PRODUTTORE
Taiwan Semiconductor Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
TSM60NB900CH C5G Models
PACCHETTO STANDARD
75

Specifiche tecniche

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
36.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
TSM60

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

TSM60NB900CH C5G-ND
TSM60NB900CHC5G

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB900CH C5G

Documenti e supporti

Datasheets
1(TSM60NB900CH C5G)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 22/Jan/2024)
HTML Datasheet
1(TSM60NB900CH)
EDA Models
1(TSM60NB900CH C5G Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $1.56
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : TSM60NB900CH
Produttore. : Taiwan Semiconductor Corporation
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.16950
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : STU6N60M2
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 4
Prezzo unitario. : $1.33000
Tipo sostitutivo. : Similar