Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPL65R1K5C6SATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
5,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ C6
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
26.6W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSON-8-2
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
IPL65R1

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP001163086
INFINFIPL65R1K5C6SATMA1
2156-IPL65R1K5C6SATMA1

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPL65R1K5C6SATMA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPL65R1K5C6S)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPL65R1K5C6S)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C6 Spice Model)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 10000
Prezzo unitario: $0.48217
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 5000
QUANTITÀ: 5000
Prezzo unitario: $0.5055
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 5000

Sostituti

Parte n. : GC11N65D5
Produttore. : Goford Semiconductor
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.67000
Tipo sostitutivo. : Similar