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GermanyCAB530M12BM3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
CAB530M12BM3
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 530A Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Wolfspeed, Inc.
INIZIATIVA STANDARD
30 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Wolfspeed, Inc.
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
530A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.55mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 140mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1362nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
39600pF @ 800V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
CAB530
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-3312-CAB530M12BM3
1697-CAB530M12BM3
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Wolfspeed, Inc. CAB530M12BM3
Documenti e supporti
HTML Datasheet
1(CAB530M12BM3)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $912.909
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $945.91
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-