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GermanyNSTB60BDW1T1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NSTB60BDW1T1
DESCRIZIONE
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 140MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
NSTB60BDW1T1 Models
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
140MHz
Power - Max
250mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-88/SC70-6/SOT-363
Base Product Number
NSTB60
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-NSTB60BDW1T1-ONTR-ND
2156-NSTB60BDW1T1
ONSONSNSTB60BDW1T1
NSTB60BDW1T1OS
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/onsemi NSTB60BDW1T1
Documenti e supporti
Datasheets
1(NSTB60BDW1T1)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2006)
EDA Models
1(NSTB60BDW1T1 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : NSTB60BDW1T1G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 5,431
Prezzo unitario. : $0.29000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 5,431
Prezzo unitario. : $0.29000
Tipo sostitutivo. : Direct