Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPS65R1K0CEAKMA2
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3-342
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base Product Number
IPS65R1

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

448-IPS65R1K0CEAKMA2
SP001724356
IPS65R1K0CEAKMA2-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA2

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPS65R1K0CE)
HTML Datasheet
1(IPS65R1K0CE)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1500
Prezzo unitario: $0.36134
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1500

Sostituti

Parte n. : IPS70R1K4P7SAKMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.60000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : TK5Q65W,S1Q
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 55
Prezzo unitario. : $1.21000
Tipo sostitutivo. : Similar