Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AUIRL2203N
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 75A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP001521374
INFINFAUIRL2203N
2156-AUIRL2203N-IT

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRL2203N

Documenti e supporti

Datasheets
1(AUIRL2203N)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(AUIRL2203N)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPP055N03LGXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 5,965
Prezzo unitario. : $1.19000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : DMNH6008SCTQ
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 311
Prezzo unitario. : $1.88000
Tipo sostitutivo. : Direct