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GermanyHN1B01FU-Y(L,F,T)
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HN1B01FU-Y(L,F,T)
DESCRIZIONE
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
HN1B01FU-Y(L,F,T) Models
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Power - Max
200mW
Frequency - Transition
120MHz
Operating Temperature
125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
HN1B01
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y(L,F,T)
Documenti e supporti
Datasheets
1(HN1B01FU)
EDA Models
1(HN1B01FU-Y(L,F,T) Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : UMZ1NTR
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 109,445
Prezzo unitario. : $0.43000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 109,445
Prezzo unitario. : $0.43000
Tipo sostitutivo. : Similar