Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC3789E
DESCRIZIONE
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 70MHz 1.5 W Through Hole TO-225-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,567

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power - Max
1.5 W
Frequency - Transition
70MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-225-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Altri nomi

2156-2SC3789E
ONSONS2SC3789E

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SC3789E

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1567
Prezzo unitario: $0.19
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1567

Sostituti

-