IRFH8337TR2PBF

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IRFH8337TR2PBF

DESCRIZIONE

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 30 V 12A (Ta), 35A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)

PRODUTTORE

Infineon Technologies

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

400

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

Infineon Technologies

Series

-

Package

Cut Tape (CT)

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

12A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.8mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

790 pF @ 10 V

FET Feature

-

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

PQFN (5x6)

Package / Case

8-PowerTDFN

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Altri nomi

IRFH8337TR2PBFDKR

IRFH8337TR2PBFCT

IRFH8337TR2PBFTR

SP001551966

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF

Documenti e supporti

Datasheets

1(IRFH8337TR2PbF)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : DMS3014SFG-7

Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 15,880
Prezzo unitario. : $0.54000
Tipo sostitutivo. : Similar

Parte n. : RS1E130GNTB

Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 1,178
Prezzo unitario. : $0.61000
Tipo sostitutivo. : Similar

ESQT-120-02-M-Q-590 MKT1813322104 10068597-11128LF RN73H1JTTD41R7F50 IPD5N25S3430ATMA1

IRFH8337TR2PBF

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