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GermanyIRLR8103
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRLR8103
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 89A (Ta) 89W (Ta) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
89A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
89W (Ta)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
-
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLR8103
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRLR8103/8503)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRLR8103/8503)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-