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GermanyIXFJ32N50Q
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFJ32N50Q
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 32A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-268
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-268
Package / Case
TO-220-3, Short Tab
Base Product Number
IXFJ32
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFJ32N50Q
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFJ32N50Q)
PCN Obsolescence/ EOL
()
HTML Datasheet
1(IXFJ32N50Q)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXFP34N65X2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $6.80000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $6.80000
Tipo sostitutivo. : Similar