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Germany2SC3583-T1B-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC3583-T1B-A
DESCRIZIONE
2SC3583 - MD
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
666
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
10V
Frequency - Transition
9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
Gain
13dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT23-3 (TO-236)
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
RENRNS2SC3583-T1B-A
2156-2SC3583-T1B-A
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SC3583-T1B-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SC3583-T1B-A Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 666
Prezzo unitario: $0.45
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 666
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 666
Sostituti
-