Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPD60R650CEBTMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 7A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
82W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD60R

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPD60R650CE, IPA60R650CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPD60R650CE, IPA60R650CE)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : STD10N60DM2
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.52000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : FCD7N60TM
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 5,972
Prezzo unitario. : $2.26000
Tipo sostitutivo. : Similar