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GermanyIRLI540N
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRLI540N
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 23A (Tc) 54W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLI540N
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRLI540N)
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Quantità Prezzo
-
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