Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MSC080SMA120S
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 35A 182W (Tc) Surface Mount D3PAK
PRODUTTORE
Microchip Technology
INIZIATIVA STANDARD
11 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
838 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
182W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D3PAK
Package / Case
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Product Number
MSC080

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microchip Technology MSC080SMA120S

Documenti e supporti

Datasheets
1(MSC080SMA120S)
Environmental Information
()
Featured Product
1(Microchip Technology - Silicon Carbide Semiconductor Discrete Products)
PCN Design/Specification
1(Top Marking Changes 22/Feb/2023)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Mold Compound 26/Feb/2024)
PCN Packaging
1(Label Change 03/Jan/2023)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $10.275
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 25
Prezzo unitario: $12.66
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $13.73
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-