Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF630S
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRF630S Models
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IRF630

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRF630S

Documenti e supporti

Datasheets
1(Power MOSFET)
EDA Models
1(IRF630S Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRF630SPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 347
Prezzo unitario. : $1.63000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : IRF630NSTRLPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 1,454
Prezzo unitario. : $1.26000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : RCJ120N20TL
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 33
Prezzo unitario. : $1.25000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STB19NF20
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.59000
Tipo sostitutivo. : Similar