English
Spain
Rusia
China
GermanyMT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
DESCRIZIONE
IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
FLASH - NAND Memory IC 3Tbit Parallel 333 MHz
PRODUTTORE
Micron Technology Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
3Tbit
Memory Organization
384G x 8
Memory Interface
Parallel
Clock Frequency
333 MHz
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Base Product Number
MT29E3T08
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Altri nomi
MT29E3T08EUHBBM4-3:BTR
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR-ND
Categoria
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Documenti e supporti
PCN Packaging
()
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-