Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPI15N65C3XKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
SPI15N

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SPI15N65C3-ND
SPI15N65C3
SP000681002
2156-SPI15N65C3XKSA1-IT
INFINFSPI15N65C3XKSA1

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPI15N65C3XKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(SPI15N65C3)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPI15N65C3)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C3 Spice Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPI60R125CPXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 490
Prezzo unitario. : $6.08000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : STI20N65M5
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $2.90000
Tipo sostitutivo. : Similar