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GermanyPDTB143EU115
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PDTB143EU115
DESCRIZIONE
TRANS PREBIAS
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Surface Mount SOT-323
PRODUTTORE
NXP Semiconductors
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
8,036
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP Semiconductors
Series
PDTB1xxxU
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
140 MHz
Power - Max
300 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-PDTB143EU115
NEXNXPPDTB143EU115
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP Semiconductors PDTB143EU115
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-