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GermanyHUFA75329G3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HUFA75329G3
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 49A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-247
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
128W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-HUFA75329G3
FAIFSCHUFA75329G3
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUFA75329G3
Documenti e supporti
Datasheets
1(HUFA75329S3ST)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 4
Prezzo unitario: $98.22
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 4
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 4
Sostituti
-