Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHB12N60ET5-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
10 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
937 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
147W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB12

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB12N60ET5-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SiHB12N60E)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 800
Prezzo unitario: $1.11655
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 800

Sostituti

Parte n. : FCB11N60TM
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 98
Prezzo unitario. : $3.30000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IPB60R299CPAATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 3,987
Prezzo unitario. : $3.19000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IPB65R310CFDAATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 1,407
Prezzo unitario. : $3.04000
Tipo sostitutivo. : Similar