English
Spain
Rusia
China
GermanyIRF6611
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF6611
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
4,800
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4860 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.9W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRF6611CT
IRF6611TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6611
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF6611)
Other Related Documents
()
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF6611)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : PSMN2R5-30YL,115
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 2,090
Prezzo unitario. : $1.12000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,090
Prezzo unitario. : $1.12000
Tipo sostitutivo. : Similar