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GermanyFF6MR12KM1BOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FF6MR12KM1BOSA1
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 250A (Tc) Chassis Mount AG-62MM
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FF6MR12KM1BOSA1 Models
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™
Package
Tray
Product Status
Obsolete
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.15V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-62MM
Base Product Number
FF6MR12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001686408
2156-FF6MR12KM1BOSA1
448-FF6MR12KM1BOSA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies FF6MR12KM1BOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(FF6MR12KM1)
EDA Models
1(FF6MR12KM1BOSA1 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FF4MR12KM1H
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended