English
Spain
Rusia
China
Germany2SA1013-O,T6MIBF(J
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SA1013-O,T6MIBF(J
DESCRIZIONE
TRANS PNP 160V 1A TO92L
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1 A 50MHz 900 mW Through Hole TO-92L
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 200mA, 5V
Power - Max
900 mW
Frequency - Transition
50MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Supplier Device Package
TO-92L
Base Product Number
2SA1013
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O,T6MIBF(J
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SA1013)
HTML Datasheet
1(2SA1013)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : KSA1013YBU
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 2,882
Prezzo unitario. : $0.48000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 2,882
Prezzo unitario. : $0.48000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent