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GermanyMRF586G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MRF586G
DESCRIZIONE
RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39
PRODUTTORE
Microsemi Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
17V
Frequency - Transition
3GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
13.5dB
Power - Max
1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)
200mA
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-39
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
HTSUS
0000.00.0000
Altri nomi
150-MRF586G
MRF586G-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Microsemi Corporation MRF586G
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 10/Aug/2017)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-