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GermanyIPP50R299CPHKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPP50R299CPHKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP50R
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP50R299CPHKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPP50R299CP)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Power Factor Correction)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPP50R299CP)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXFP20N50P3M
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 57
Prezzo unitario. : $4.62000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Parte n. : STP12N50M2
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 850
Prezzo unitario. : $1.61000
Tipo sostitutivo. : Similar
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