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GermanyFDR8508P
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDR8508P
DESCRIZIONE
MOSFET 2P-CH 30V 3A SUPERSOT 8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 30V 3A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
201
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 15V
Power - Max
800mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Supplier Device Package
SuperSOT™-8
Base Product Number
FDR85
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2156-FDR8508P-FSTR-ND
FAIFSCFDR8508P
2156-FDR8508P
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Fairchild Semiconductor FDR8508P
Documenti e supporti
Datasheets
1(FDR8508P)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 201
Prezzo unitario: $1.5
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 201
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 201
Sostituti
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