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GermanyFQP10N20C
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQP10N20C
DESCRIZIONE
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
461
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
72W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Altri nomi
2156-FQP10N20C
FAIFSCFQP10N20C
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQP10N20C
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQP10N20C Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 461
Prezzo unitario: $0.65
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 461
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 461
Sostituti
-