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GermanySIB455EDK-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIB455EDK-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-75-6
Package / Case
PowerPAK® SC-75-6
Base Product Number
SIB455
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SIB455EDK-T1-GE3TR
SIB455EDKT1GE3
SIB455EDK-T1-GE3DKR
SIB455EDK-T1-GE3CT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIB455EDK-T1-GE3
Documenti e supporti
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013)
PCN Assembly/Origin
1(Wafer Fab Addition 22/Jun/2015)
HTML Datasheet
1(SIB455EDK)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SIB441EDK-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 9,000
Prezzo unitario. : $0.44000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 9,000
Prezzo unitario. : $0.44000
Tipo sostitutivo. : Similar