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Germany2SA1689E-HM-AA
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SA1689E-HM-AA
DESCRIZIONE
BIP PNP 50MA 300V
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 50 mA 70MHz 600 mW Through Hole 3-NP
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,268
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 6V
Power - Max
600 mW
Frequency - Transition
70MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
3-NP
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2156-2SA1689E-HM-AA
ONSONS2SA1689E-HM-AA
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SA1689E-HM-AA
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SA1371E-AE)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1268
Prezzo unitario: $0.24
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1268
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1268
Sostituti
-