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GermanyNTD3817N-1G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTD3817N-1G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
16 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
702 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NTD38
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
ONSONSNTD3817N-1G
2156-NTD3817N-1G-ON
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD3817N-1G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NTD3817N)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 19/Dec/2008)
HTML Datasheet
1(NTD3817N)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRLU3714TR
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar